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單晶SnSe熱電材料研究進展

張閃閃; 閆艷慈; 彭坤嶺; 吳宏; 張夢珂; 李承駿; 湯曉丹; 郭莉杰; 盧旭; 王國玉; 周小元 重慶大學物理學院; 重慶400000; 中國科學院大學重慶綠色智能技術(shù)研究院; 重慶400700

關(guān)鍵詞:熱電材料 單晶snse 低熱導(dǎo)率 電學性能 熱電優(yōu)值 

摘要:熱電材料是一種環(huán)境友好型的新能源轉(zhuǎn)換材料。隨著社會的發(fā)展,越來越多的熱電材料被開發(fā)利用。單晶SnSe熱電材料因其優(yōu)異的熱電性能成為熱電研究領(lǐng)域的“明星材料”。截至目前,p型SnSe單晶材料在b方向上獲得了2.6@923 K的高熱電優(yōu)值,n型SnSe單晶材料在層間方向的ZT值高達2.8@773 K。本文以單晶SnSe熱電材料的研究進展為主線,闡明了SnSe單晶優(yōu)異熱電性能的根源,概述了單晶SnSe的生長方法,總結(jié)了優(yōu)化單晶SnSe熱電性能的途徑(包括電學方面的能帶工程和載流子濃度優(yōu)化以及熱學方面的點缺陷調(diào)控等),最后簡要回顧了近幾年單晶SnSe的發(fā)展狀況。

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