退火溫度對ZnO薄膜晶體管電學性能的影響
覃金牛; 溫喜章; 馮武昌; 許望穎; 亮; 曹培江; 柳文軍; 韓舜; 劉新科; 方明; 曾玉祥; 呂有明 廣東省功能材料界面工程研究中心; 深圳市特種功能材料實驗室; 深圳大學材料學院; 廣東深圳518060
關鍵詞：薄膜材料 zno 薄膜晶體管 退火溫度 遷移率
摘要：為研究退火溫度(從室溫到500℃)對ZnO薄膜和薄膜晶體管(thin-film transistor,TFT)電性能的影響,使用X射線衍射、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、X射線光電子能譜和光致發光等技術對ZnO-TFT進行表征。實驗結果表明,具有400℃退火溫度的ZnO-TFT表現出最佳性能,遷移率為2.7cm^2/Vs,閾值電壓為4.6V,開/關電流比為5×10^5,亞閾值擺幅為0.98V/Dec。電性能的改善可歸因于載流子濃度的降低,ZnO膜結晶的增強,以及氧化物半導體層和絕緣層之間界面的改善。
深圳大學學報·人文社會科學版雜志要求:
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