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As(Ⅴ)離子印跡有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化材料的制備及其對(duì)As(Ⅴ)的選擇性吸附
關(guān)鍵詞：印跡 砷 水熱輔助 吸附模型 動(dòng)力學(xué)
摘要：采用水熱輔助表面印跡技術(shù),制備了氨基功能化As(V)離子印跡有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化材料,利用紅外光譜和掃描電鏡表征了其形貌和表面官能團(tuán),采用平衡吸附法研究了印跡雜化材料對(duì)As(V)的吸附行為及機(jī)理,計(jì)算了等溫吸附模型和吸附動(dòng)力學(xué)的參數(shù)。結(jié)果表明,水熱輔助表面印跡法可以顯著提高印跡雜化材料的吸附容量,在20℃時(shí),吸附量達(dá)到47. 5mg/g,吸附平衡時(shí)間為30min;在pH 4~9范圍內(nèi),pH對(duì)吸附容量沒(méi)有顯著性影響;離子印跡雜化材料顯示出優(yōu)異的選擇性,其再生5次后,As(V)的吸附容量沒(méi)有大幅降低;As(V)離子在離子印跡雜化材料的吸附過(guò)程符合Langmuir和準(zhǔn)二級(jí)動(dòng)力學(xué)模型。
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