關鍵詞:毫米波 限幅低噪聲放大器 pin二極管 phemt晶體管
摘要:設計了一款毫米波GaAs單片限幅低噪聲放大器。限幅器采用兩級反向并聯二極管結構,通過優(yōu)化限幅器匹配電路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅電路的插損。低噪聲放大器為四級級聯設計,輸入端采用最小噪聲匹配,偏置電路增加RC串聯諧振電路,減小了噪聲,提高了電路穩(wěn)定性。測試結果表明,該毫米波GaAs單片限幅低噪聲放大器在33~37GHz頻帶內,增益達到22dB,增益平坦為±1dB,輸入駐波小于2,輸出駐波小于1.5,噪聲小于3.0dB,輸出1dB增益壓縮點(P1dB)大于5dBm,可以承受15W的脈沖輸入功率。
固體電子學研究與進展雜志要求:
{1}用第一、第二……或首先、其次……時,如每段文字不長可在同一自然段內接排,如每段文字均較長,可另起一自然段。
{2}來稿須符合學術期刊的一般編排規(guī)范要求。
{3}來稿不退,請作者自留備稿。來稿一經發(fā)表,文章的復制權、發(fā)行權、匯編權及信息網絡傳播權將獨家授予《傳播與版權》期刊編輯部。
{4}基金項目(有則加項):獲得基金資助產出的文章應注明基金項目名稱,并在括號內注明其項目編號。
{5}摘要最好用敘述性語言闡明全文的觀點、論據和結論,既要精煉又要言之有物,盡量不要空泛地概括全篇內容;忌用第一人稱;字數為150-200字。關鍵詞3-8個。
注:因版權方要求,不能公開全文,如需全文,請咨詢雜志社