IGBT：概念、發展與新結構
Florin; Udrea 劍橋大學; 英國劍橋CB30FA
關鍵詞：igbt 功率器件 超結
摘要：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是當今最具創新性的功率器件，是目前為止唯一將MOSFET和雙極結型晶體管結合在單元胞中的器件。由于MOSFET和雙極結型晶體管對開關控制和導通狀態都有影響，因此為了優化器件性能及安全工作區，對二者的工作狀態需要仔細地折中考慮。文章闡述了IGBT技術的發展歷史、器件結構及發展前景，涉及IGBT的基本概念及技術挑戰，討論了促使IGBT更新換代的主要技術進程，最后介紹了一些IGBT新型器件結構及新興技術。
大功率變流技術雜志要求:
{1}注釋：以尾注形式進行注釋，在文章中相應出處的右上角用①等標識。
{2}文稿要求:內容真實，論點明確，論據充分，重點突出。說理透徹，文字精練，具有實用性、真實性、科學性和邏輯性。
{3}中文文題一般在20個漢字左右，作者姓名及工作單位在文題下，按順序排列。
{4}書名、期刊名及報刊名首字母大寫，用斜體；英文文章名除首字母及專用名詞大寫外一律小寫。
{5}關鍵詞也叫索引詞,是從論文中選出來用以表示全文主題內容的單詞或術語，要求盡量使用規范性詞。
注：因版權方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
