IGBT新技術及發展趨勢
張金平; 趙倩; 高巍; 李澤宏; 任敏; 張波 電子科技大學電子薄膜與集成器件國家重點實驗室; 四川成都610054
關鍵詞：功率開關 器件結構 封裝技術 新材料
摘要：目前，采用精細化溝槽柵技術、薄片加工技術、場阻技術和發射極載流子濃度增強技術的器件結構已成為絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的主流結構，同時新的器件結構技術、封裝技術和新材料技術也成為業界研究的重點。文章針對近年來有關IGBT所取得的最新研究進展，從器件結構、封裝技術、國際主要廠商的技術發展、新材料器件等方面對IGBT器件新技術及發展趨勢進行了系統的梳理和概述。
大功率變流技術雜志要求:
{1}注釋：以尾注形式進行注釋，在文章中相應出處的右上角用①等標識。
{2}文稿要求:內容真實，論點明確，論據充分，重點突出。說理透徹，文字精練，具有實用性、真實性、科學性和邏輯性。
{3}中文文題一般在20個漢字左右，作者姓名及工作單位在文題下，按順序排列。
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{5}關鍵詞也叫索引詞,是從論文中選出來用以表示全文主題內容的單詞或術語，要求盡量使用規范性詞。
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