反應(yīng)物濃度誘導(dǎo)CVD SiC結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變
黃東; 王昊; 何雨恬; 王秀連; 劉樺; 鄧暢光; 林松盛; 張明瑜 湖南東映碳材料科技有限公司; 高性能瀝青基碳纖維湖南省工程研究中心; 湖南長沙410083; 廣東省新材料研究所; 現(xiàn)代材料表面工程技術(shù)國家工程實驗室; 廣東省現(xiàn)代表面工程技術(shù)重點實驗室; 廣東廣州510650; 中南大學(xué)粉末冶金國家重點實驗室; 湖南長沙4100831
關(guān)鍵詞：cvd sic 微觀結(jié)構(gòu)
摘要：利用低密度的C/C復(fù)合材料為沉積基體,通過化學(xué)氣相沉積法制備氣相生長SiC,分析并研究了不同沉積位置和反應(yīng)物濃度下氣相生長SiC的微觀形貌和物相組成.結(jié)果表明,隨著反應(yīng)物氣體濃度的降低,多孔C/C復(fù)合材料基體上氣相生長的SiC的微觀結(jié)構(gòu)呈區(qū)域性變化,SiC薄膜依次向SiC薄膜和顆粒、SiC短棒、SiC納米線轉(zhuǎn)變.探討了不同反應(yīng)物濃度氣氛中過飽和度誘導(dǎo)原子遷移和氣相分子吸附的過程,并提出一個SiC的生長模型.
材料研究與應(yīng)用雜志要求:
{1}參考文獻應(yīng)為公開出版物。引用文獻須按引用的先后，在正文中有關(guān)處用［1］，［2］…標明，序號與全文末的參考文獻必須一致。
{2}中英文對照的標題、作者、作者單位、摘要、關(guān)鍵詞。
{3}來稿請勿一稿多投，文責作者自負。本刊編輯部對來稿可作必要修改。
{4}基金項目：如果論文是項目成果，請按“項目名稱（項目號）”的形式寫出。項目名稱與項目號兩者都要有。
{5}文章標題：一般不超過20個漢字，必要時加副標題。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
相關(guān)期刊
-
-
統(tǒng)計源期刊 1-3個月下單中國醫(yī)學(xué)科學(xué)院;中國醫(yī)學(xué)科學(xué)院北京協(xié)和醫(yī)院 -
-
