CCD多晶硅層間復合絕緣介質研究
廖乃鏝; 劉昌林; 張明丹; 寇琳來; 羅春林; 闕藺蘭 重慶光電技術研究所; 重慶400060
關鍵詞：絕緣介質 多晶硅 電荷耦合器件
摘要：電荷耦合器件(CCD)多晶硅交疊區域絕緣介質對成品率和器件可靠性具有重要的影響。將氮化硅和二氧化硅作為CCD多晶硅層間復合絕緣介質,采用掃描電子顯微鏡(SEM)和電學測試系統研究了多晶硅層間氮化硅和二氧化硅復合絕緣介質對CCD多晶硅柵間距和多晶硅層間擊穿電壓的影響。研究結果表明,多晶硅層間復合絕緣介質中的氮化硅填充了多晶硅熱氧化層的微小空隙,可以明顯改善絕緣介質質量。多晶硅層間擊穿電壓隨著氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅會導致CCD暗電流明顯增大。由于復合絕緣介質質量好,可以減小CCD多晶硅的氧化厚度。
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